Filtro armónico híbrido
Active harmonic filter(SiC) is a new generation of active power filter (APF) designed with silicon carbide materials. Its dual-core design offers faster operation, lower losses, and higher device efficiency (>99%). Además de compensar dinámicamente los armónicos, los productos APF también pueden compensar la potencia reactiva, abordando problemas de calidad de la energía como las fluctuaciones de voltaje y el parpadeo. Los productos APF utilizan-tecnología de control-de última generación-para un control totalmente automatizado, lo que los convierte en la opción preferida para la eliminación de armónicos.
Descripción de productos
N.º de artículo: L-HTS900M(SiC) Pedido (MOQ):1
Origen del producto: Shanghai, China Peso:
El filtro activo de armónicos de SiC es un dispositivo de eliminación de armónicos totalmente digital-de próxima generación desarrollado-internamente por nosotros. En comparación con la tecnología tradicional, ofrece distintas ventajas, como un tiempo de respuesta más rápido, tamaño compacto, funcionalidad mejorada, fácil instalación y mantenimiento y puesta en marcha sencilla. Puede abordar eficazmente los problemas de calidad de la energía con facilidad. APF compensa dinámicamente los armónicos, abordando eficazmente problemas como el bajo factor de potencia y los desequilibrios trifásicos-en la calidad de la energía.
El dispositivo de alimentación principal adopta el componente semiconductor SiC Mosfet de próxima-generación, que ofrece una frecuencia de conmutación superior a 100 kHz, alta densidad de potencia, baja pérdida y alta eficiencia, con una tasa de filtrado de armónicos de hasta el 97 %. Admite múltiples modos de compensación, incluidos armónicos, potencia reactiva y desequilibrio trifásico-. La PCBA está completamente sellada, lo que garantiza protección contra el polvo, la condensación y la niebla salina. El dispositivo ofrece opciones de instalación flexibles (montaje en gabinete-o montaje en pared-) y el mantenimiento es sencillo.
Características del producto
Ficha de datos
| Parámetros eléctricos | |
| Método de cableado | Tri-fasico, tres-cable, trifásico-cuatro-cable |
| Tensión de funcionamiento | 380V/220V±20% |
| Frecuencia de funcionamiento | 50/60 Hz, ±10 % |
| Especificaciones del producto | 30A, 50A, 75A, 100A, 150A |
| Especificaciones del transformador de corriente. | 50:5 ~ 20000:5, 50:1~20000:1 |
| Ruido | <65dB |
| Características técnicas | |
| Dispositivos de conmutación | Mosfet de SiC |
| Frecuencia de conmutación | >100kHz |
| Métodos de disipación de calor. | Refrigeración por aire inteligente |
| Control de disipación de calor | Ajuste adaptativo de la velocidad del ventilador |
| Funciones de protección | Protección contra sobrecorriente de salida, protección de limitación de corriente de salida, protección contra sobre{0}}temperatura, protección contra sobretensión del bus de CC, protección contra subtensión de entrada de CA, protección contra sobretensión de entrada de CA, protección contra fallas del sistema de control, protección contra daños a los componentes del circuito principal y protección contra desconexión |
| Desempeño de compensación | |
| Tasa de filtrado armónico | ＞97% |
| Eficiencia general | Mayor o igual al 99% |
| Pérdida de potencia activa | ＜1% |
| Rango de filtrado de armónicos | Los armónicos del 2 al 50 se pueden controlar y configurar individualmente. |
| Tiempo total de respuesta | <5 ms |
| Supresión de resonancia | Inhibición activa |
| Interfaz de visualización | |
| Pantalla de visualización | Pantalla táctil a todo color de 7-pies |
| Idioma | Chino, inglés e idiomas personalizables. |
| Pantalla de batería | Muestra datos que incluyen tasa de distorsión, factor de potencia, potencia, voltaje y corriente. |
| Interfaz de comunicación y tipo de protocolo. | RS485, TCP/IP, protocolos Modbus y transmisión de datos de larga-distancia 4G. |
| Condiciones ambientales | |
| Temperatura de funcionamiento | -25 grados ~+50 grados |
| Humedad relativa | <95%, no condensation |
| Altitud | <5000 meters (above 1000 meters, capacity decreases by 1% for every additional 100 meters) |
| Otros | |
| Nivel de protección | Clasificación IP20, otras clasificaciones disponibles a pedido. |
| Método de instalación | Configuraciones de montaje-en bastidor,-montaje en pared y gabinete integrado. |
Q&A
¿Cuáles son las ventajas del SiC frente a los IGBT?
Tamaño pequeño, alta tecnología, bajas pérdidas
|
CLASIFICAR |
IGBT |
MOSFET de SiC |
OBSERVACIÓN |
|
Frecuencia de conmutación |
20kHz |
>100 kHz (frecuencia de conmutación equivalente) |
Optimice el tamaño del dispositivo para reducir la ondulación de salida (mejore la estabilidad de la salida de energía y garantice la estabilidad del equipo) |
|
Velocidad de Computación |
40nosotros |
4nosotros |
|
|
Temperatura de unión del dispositivo |
150 grados |
175 grados |
Entorno de uso más amplio |
|
Pérdidas del dispositivo de conmutación |
3% |
1% |
|
|
Pérdida de la máquina |
3.5% |
1.2% |
Uso más eficiente-de la energía |
|
Comparación de pérdidas |
2,4 grados por hora |
0,83 grados por hora |
Tomemos como ejemplo 100A, 1 yuan/kWh |
|
Consumo de energía anual |
21024RMB |
7270.8RMB |
24 horas, 365 días al año |
|
Eficiencia general |
＞96.5% |
＞98.8% |
|
|
Densidad de potencia (50 A) mm |
466*625*180 |
500*504*100 |
Volumen reducido en más del 55 % y peso reducido en más del 60 % |
|
Densidad de potencia (100 A) mm |
466*625*222 |
592*504*100 |
|
|
Capacidad instalada del gabinete completo (A) |
MAX750A |
MAX1000A |
Tamaño de gabinete único (1000*1000*2200) mm |
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