Equipo de compensación reactiva dinámica
Static Var Generator (SVG) es un dispositivo de compensación de potencia reactiva conocido por su rápido tiempo de respuesta y excelente rendimiento de compensación. En comparación con los productos tradicionales de compensación de potencia reactiva, el dispositivo ofrece ventajas como alta confiabilidad-, gran capacidad de compensación, operación y diseño simples y excelente rentabilidad-.
Descripción de productos
Los componentes principales provienen del fabricante original y presentan un diseño modular que facilita la instalación, la puesta en servicio y el mantenimiento. Una vez encendido, el dispositivo realiza auto-verificaciones y funciona automáticamente, sin requerir intervención manual.
Características del producto
El dispositivo de alimentación principal adopta el componente semiconductor SiC Mosfet de próxima-generación, que ofrece una frecuencia de conmutación superior a 100 kHz, alta densidad de potencia, baja pérdida y alta eficiencia, con una compensación del factor de potencia de hasta 0,99. La PCBA está completamente sellada, lo que garantiza protección contra el polvo, la condensación y la niebla salina. El dispositivo ofrece opciones de instalación flexibles (montaje en gabinete-o montaje en pared-) y el mantenimiento es sencillo.
Escenarios de aplicación
Edificios modernos, transporte ferroviario, comunicaciones, petroquímica, nuevas energías, tratamientos médicos, semiconductores, acero y otros campos industriales ligeros y pesados.
Ficha de datos
| Parámetros eléctricos | |
| Método de cableado | Tri-tres-fases, tres-fases cuatro-cables |
| Tensión de funcionamiento | 380V±20% |
| Frecuencia de funcionamiento | 50/60 Hz, ±10 % |
| Especificaciones del producto | 30 kvar, 50 kvar, 70 kvar, 100 kvar |
| Especificaciones del transformador de corriente. | 50:5 ~ 20000:5, 50:1~20000:1 |
| Ruido | <65dB |
| Características técnicas | |
| Dispositivos de conmutación | Mosfet de SiC |
| Frecuencia de conmutación | >100kHz |
| Métodos de disipación de calor. | Refrigeración por aire inteligente |
| Control de disipación de calor | Ajuste adaptativo de la velocidad del ventilador |
| Funciones de protección | Protección contra sobrecorriente de salida, protección de limitación de corriente de salida, protección contra sobre{0}}temperatura, protección contra sobretensión del bus de CC, protección contra subtensión de entrada de CA, protección contra sobretensión de entrada de CA, protección contra fallas del sistema de control, protección contra daños a los componentes del circuito principal y protección contra desconexión |
| Desempeño de compensación | |
| Compensación de potencia reactiva | -1 a +1 ajustable (dentro del rango de capacidad del dispositivo) |
| Eficiencia general | Mayor o igual al 99% |
| Pérdida de potencia activa | ＜1% |
| Tiempo de respuesta completo | <5ms |
| Compensación por desequilibrio trifásico- | Compensación total del desequilibrio del 100% |
| Interfaz de visualización | |
| Pantalla de visualización | Pantalla táctil a todo color de 7-pies |
| Idioma | Chino, inglés e idiomas personalizables. |
| Pantalla de batería | Muestra datos que incluyen tasa de distorsión, factor de potencia, potencia, voltaje y corriente. |
| Interfaz de comunicación y tipo de protocolo. | RS485, TCP/IP, protocolos Modbus y transmisión de datos de larga-distancia 4G. |
| Condiciones ambientales | |
| Temperatura de funcionamiento | -25 grados ~+50 grados |
| Humedad relativa | <95%, no condensation |
| Altitud | <5000 meters (above 1000 meters, capacity decreases by 1% for every additional 100 meters) |
| Otros | |
| Nivel de protección | Clasificación IP20, otras clasificaciones disponibles a pedido. |
| Método de instalación | Configuraciones de montaje-en bastidor,-montaje en pared y gabinete integrado. |
Q&A
Otra ventaja importante de los MOSFET de SiC es su eficiencia de conmutación de alta-frecuencia. Los MOSFET de SiC exhiben un mayor campo eléctrico de ruptura, una menor resistencia on-y una velocidad de migración de portadora más rápida, lo que los hace excelentes para aplicaciones de conmutación de alta-frecuencia.
1. Alta velocidad de conmutación:Los MOSFET de SiC conmutan mucho más rápido que los IGBT, lo que significa que pueden funcionar a frecuencias más altas. Las frecuencias de conmutación más altas permiten que los filtros activos compensen más eficazmente los armónicos y mejoren la calidad de la energía.
2. Bajas pérdidas:Los MOSFET de SiC presentan pérdidas de conmutación extremadamente bajas durante la conmutación de alta-frecuencia. Esto no sólo mejora la eficiencia general del sistema sino que también reduce la necesidad de gestión térmica.
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